器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
2SK1952 | Hitachi Metals | Silicon N Channel MOS FET | 下载 |
2SK1952 | Hitachi (Renesas ) | Power Field-Effect Transistor, 0.028ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220FM, 3 PIN | 下载 |
2SK1952 | Renesas(瑞萨电子) | 0.028ohm, POWER, FET, TO-220FM, 3 PIN | 下载 |
2SK1952 | ISC | isc N-Channel MOSFET Transistor | 下载 |
0.028ohm, POWER, FET, TO-220FM, 3 PIN
参数名称 | 属性值 |
是否无铅 | 不含铅 |
是否Rohs认证 | 符合 |
零件包装代码 | TO-220FM |
包装说明 | TO-220FM, 3 PIN |
针数 | 3 |
Reach Compliance Code | compli |
配置 | Single |
最大漏极电流 (Abs) (ID) | 40 A |
最大漏源导通电阻 | 0.028 Ω |
FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
湿度敏感等级 | 1 |
端子数量 | 3 |
最高工作温度 | 150 °C |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 35 W |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | NO |
端子形式 | THROUGH-HOLE |
端子位置 | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
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