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2SK1952

在4个相关元器件中,2SK1952有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
2SK1952 Hitachi Metals Silicon N Channel MOS FET 下载
2SK1952 Hitachi (Renesas ) Power Field-Effect Transistor, 0.028ohm, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220FM, 3 PIN 下载
2SK1952 Renesas(瑞萨电子) 0.028ohm, POWER, FET, TO-220FM, 3 PIN 下载
2SK1952 ISC isc N-Channel MOSFET Transistor 下载
2SK1952的相关参数为:

器件描述

0.028ohm, POWER, FET, TO-220FM, 3 PIN

参数
参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
零件包装代码TO-220FM
包装说明TO-220FM, 3 PIN
针数3
Reach Compliance Codecompli
配置Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)40 A
最大漏源导通电阻0.028 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码R-PSFM-T3
湿度敏感等级1
端子数量3
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1
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