| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 2SK1082 | FUJI | N-Channel Silicon Power MOS-FET | 下载 |
| 2SK1082 | Inchange Semiconductor | MOSFETs;6A;900V;TO-3PN | 下载 |
| 2SK1082 | Fuji Electric Co Ltd | Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, | 下载 |
| 2SK1082 | ISC | Drain Current –ID=6A@ TC=25C | 下载 |
| 2SK1082-01 | FUJI | N-Channel Silicon Power MOS-FET | 下载 |
| 2SK1082-01 | Fuji Electric Co Ltd | Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-3P, 3 PIN | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| 2SK1082 、 2SK1082-01 | 下载文档 |
| 2SK1082-01 | 下载文档 |
| 2SK1082 | 下载文档 |
| 2SK1082 | 下载文档 |
| 型号 | 2SK1082 | 2SK1082-01 |
|---|---|---|
| 描述 | N-Channel Silicon Power MOS-FET | N-Channel Silicon Power MOS-FET |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved