型号 |
2SJ534 |
2SJ534-E |
描述 |
Silicon P Channel MOS FET |
Silicon P Channel MOS FET |
是否Rohs认证 |
不符合 |
符合 |
零件包装代码 |
TO-220FM |
TO-220FM |
包装说明 |
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数 |
3 |
3 |
Reach Compliance Code |
compli |
compli |
ECCN代码 |
EAR99 |
EAR99 |
外壳连接 |
ISOLATED |
ISOLATED |
配置 |
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压 |
60 V |
60 V |
最大漏极电流 (Abs) (ID) |
18 A |
18 A |
最大漏极电流 (ID) |
18 A |
18 A |
最大漏源导通电阻 |
0.11 Ω |
0.11 Ω |
FET 技术 |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JESD-30 代码 |
R-PSFM-T3 |
R-PSFM-T3 |
JESD-609代码 |
e0 |
e2 |
元件数量 |
1 |
1 |
端子数量 |
3 |
3 |
工作模式 |
ENHANCEMENT MODE |
ENHANCEMENT MODE |
最高工作温度 |
150 °C |
150 °C |
封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
封装形状 |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
封装形式 |
FLANGE MOUNT |
FLANGE MOUNT |
峰值回流温度(摄氏度) |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
极性/信道类型 |
P-CHANNEL |
P-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) |
30 W |
30 W |
最大脉冲漏极电流 (IDM) |
72 A |
72 A |
认证状态 |
Not Qualified |
Not Qualified |
表面贴装 |
NO |
NO |
端子面层 |
TIN LEAD |
TIN COPPER |
端子形式 |
THROUGH-HOLE |
THROUGH-HOLE |
端子位置 |
SINGLE |
SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间 |
NOT SPECIFIED |
NOT SPECIFIED |
晶体管应用 |
SWITCHING |
SWITCHING |
晶体管元件材料 |
SILICON |
SILICON |
Base Number Matches |
1 |
1 |