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2SJ201

eeworld网站中关于2SJ201有8个元器件。有2SJ201、2SJ201_07等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
2SJ201 Toshiba(东芝) P channel mos type (high power amplifier applications) 下载
2SJ201_07 Toshiba(东芝) high-power amplifier application 下载
2SJ201_09 Toshiba(东芝) high-power amplifier application 下载
2SJ201-O Toshiba(东芝) TRANSISTOR 12 A, 200 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-21F1B, 3 PIN, FET General Purpose Power 下载
2SJ201-O(Q) Toshiba(东芝) TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247VAR 下载
2SJ201-Y Toshiba(东芝) High-Power Amplifier Application 下载
2SJ201-Y(F) Toshiba(东芝) MOSFET MOSFET P-Ch 200V 12A Rdson 0.625 Ohm 下载
2SJ201-Y(Q) Toshiba(东芝) TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247VAR 下载
关于2SJ201相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
2SJ201-O(Q) 、 2SJ201-Y(Q) 下载文档
2SJ201_07 下载文档
2SJ201_09 下载文档
2SJ201-Y(F) 下载文档
2SJ201-Y 下载文档
2SJ201-O 下载文档
2SJ201 下载文档
2SJ201资料比对:
型号 2SJ201-Y(Q) 2SJ201-O(Q)
描述 TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247VAR TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247VAR
是否Rohs认证 符合 符合
包装说明 , ,
Reach Compliance Code unknow unknow
配置 Single Single
最大漏极电流 (Abs) (ID) 12 A 12 A
FET 技术 METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式 ENHANCEMENT MODE ENHANCEMENT MODE
最高工作温度 150 °C 150 °C
极性/信道类型 P-CHANNEL P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs) 150 W 150 W
表面贴装 NO NO
Base Number Matches 1 1
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