| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 2SJ201 | Toshiba(东芝) | P channel mos type (high power amplifier applications) | 下载 |
| 2SJ201_07 | Toshiba(东芝) | high-power amplifier application | 下载 |
| 2SJ201_09 | Toshiba(东芝) | high-power amplifier application | 下载 |
| 2SJ201-O | Toshiba(东芝) | TRANSISTOR 12 A, 200 V, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, LEAD FREE, 2-21F1B, 3 PIN, FET General Purpose Power | 下载 |
| 2SJ201-O(Q) | Toshiba(东芝) | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247VAR | 下载 |
| 2SJ201-Y | Toshiba(东芝) | High-Power Amplifier Application | 下载 |
| 2SJ201-Y(F) | Toshiba(东芝) | MOSFET MOSFET P-Ch 200V 12A Rdson 0.625 Ohm | 下载 |
| 2SJ201-Y(Q) | Toshiba(东芝) | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247VAR | 下载 |
| 对应元器件 | pdf文档资料下载 |
|---|---|
| 2SJ201-O(Q) 、 2SJ201-Y(Q) | 下载文档 |
| 2SJ201_07 | 下载文档 |
| 2SJ201_09 | 下载文档 |
| 2SJ201-Y(F) | 下载文档 |
| 2SJ201-Y | 下载文档 |
| 2SJ201-O | 下载文档 |
| 2SJ201 | 下载文档 |
| 型号 | 2SJ201-Y(Q) | 2SJ201-O(Q) |
|---|---|---|
| 描述 | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247VAR | TRANSISTOR,MOSFET,P-CHANNEL,200V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247VAR |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 包装说明 | , | , |
| Reach Compliance Code | unknow | unknow |
| 配置 | Single | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 12 A | 12 A |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C | 150 °C |
| 极性/信道类型 | P-CHANNEL | P-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 150 W | 150 W |
| 表面贴装 | NO | NO |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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