| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 2N4407 | Central Semiconductor | Analog Comparators Quad GP Differential | 下载 |
| 2N4407 | Advanced Semiconductor, Inc. | Transistor | 下载 |
| 2N4407 | Microsemi | Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin | 下载 |
| 2N4407 | Semicoa | Transistor | 下载 |
| 2N4407 | NXP(恩智浦) | TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,1A I(C),TO-39 | 下载 |
| 2N4407 | New Jersey Semiconductor | PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS | 下载 |
| 2N4407 | Motorola ( NXP ) | 2A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 | 下载 |
| 2N4407-DIE | Semicoa | Transistor | 下载 |
2A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 不符合 |
| 包装说明 | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 最大集电极电流 (IC) | 2 A |
| 基于收集器的最大容量 | 15 pF |
| 集电极-发射极最大电压 | 80 V |
| 配置 | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE) | 10 |
| JEDEC-95代码 | TO-39 |
| JESD-30 代码 | O-MBCY-W3 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最高工作温度 | 200 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | CYLINDRICAL |
| 峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | PNP |
| 功耗环境最大值 | 8.75 W |
| 最大功率耗散 (Abs) | 5 W |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | WIRE |
| 端子位置 | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT) | 150 MHz |
| 最大关闭时间(toff) | 225 ns |
| 最大开启时间(吨) | 75 ns |
| VCEsat-Max | 1.5 V |
| Base Number Matches | 1 |
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