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2N4407

在8个相关元器件中,2N4407有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
2N4407 Central Semiconductor Analog Comparators Quad GP Differential 下载
2N4407 Advanced Semiconductor, Inc. Transistor 下载
2N4407 Microsemi Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-39, Metal, 3 Pin 下载
2N4407 Semicoa Transistor 下载
2N4407 NXP(恩智浦) TRANSISTOR,BJT,PNP,80V V(BR)CEO,1A I(C),TO-39 下载
2N4407 New Jersey Semiconductor PNP SILICON ANNULAR TRANSISTORS 下载
2N4407 Motorola ( NXP ) 2A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39 下载
2N4407-DIE Semicoa Transistor 下载
2N4407的相关参数为:

器件描述

2A, 80V, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-39

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
包装说明CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)2 A
基于收集器的最大容量15 pF
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)10
JEDEC-95代码TO-39
JESD-30 代码O-MBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
最高工作温度200 °C
封装主体材料METAL
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型PNP
功耗环境最大值8.75 W
最大功率耗散 (Abs)5 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)150 MHz
最大关闭时间(toff)225 ns
最大开启时间(吨)75 ns
VCEsat-Max1.5 V
Base Number Matches1
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器件入口   4V 8A B4 B6 BR CV GN H8 HY PR RS RY UQ UR W0

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