| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 2N4375 | POWEREX | Phase Control SCR 70 Amoeres Average(110 RMS) 1400 Volts | 下载 |
| 2N4375 | Microsemi | Silicon Controlled Rectifier | 下载 |
| 2N4375 | Semitronics Corp | Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-94, | 下载 |
| 2N4375E3 | Microsemi | Silicon Controlled Rectifier, 110A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-208AD, TO-83, 2 PIN | 下载 |
Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element, TO-94,
| 参数名称 | 属性值 |
| 包装说明 | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 配置 | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率 | 100 V/us |
| 最大直流栅极触发电流 | 250 mA |
| 最大直流栅极触发电压 | 5 V |
| 最大维持电流 | 200 mA |
| JEDEC-95代码 | TO-94 |
| JESD-30 代码 | O-MUPM-H3 |
| 最大漏电流 | 10 mA |
| 通态非重复峰值电流 | 1600 A |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 最大通态电流 | 70000 A |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 封装主体材料 | METAL |
| 封装形状 | ROUND |
| 封装形式 | POST/STUD MOUNT |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 断态重复峰值电压 | 800 V |
| 重复峰值反向电压 | 800 V |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置 | UPPER |
| 触发设备类型 | SCR |
| Base Number Matches | 1 |
电子工程世界版权所有
京B2-20211791
京ICP备10001474号-1
电信业务审批[2006]字第258号函
京公网安备 11010802033920号
Copyright © 2005-2026 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved