器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
2MBI200VH-120-50 | FUJI | IGBT MODULE (V series) 1200V / 200A / 2 in one package | 下载 |
2MBI200VH-120-50 | Fuji Electric Co Ltd | Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES | 下载 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Fuji Electric Co Ltd |
包装说明 | FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
外壳连接 | ISOLATED |
最大集电极电流 (IC) | 240 A |
集电极-发射极最大电压 | 1200 V |
配置 | SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE |
门极-发射极最大电压 | 20 V |
JESD-30 代码 | R-XUFM-X7 |
元件数量 | 2 |
端子数量 | 7 |
最高工作温度 | 125 °C |
封装主体材料 | UNSPECIFIED |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | FLANGE MOUNT |
极性/信道类型 | N-CHANNEL |
最大功率耗散 (Abs) | 1110 W |
表面贴装 | NO |
端子形式 | UNSPECIFIED |
端子位置 | UPPER |
晶体管应用 | MOTOR CONTROL |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称断开时间 (toff) | 800 ns |
标称接通时间 (ton) | 600 ns |
VCEsat-Max | 2.4 V |
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