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2MBI200VH-120-50

在2个相关元器件中,2MBI200VH-120-50有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
2MBI200VH-120-50 FUJI IGBT MODULE (V series) 1200V / 200A / 2 in one package 下载
2MBI200VH-120-50 Fuji Electric Co Ltd Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES 下载
2MBI200VH-120-50的相关参数为:

器件描述

Insulated Gate Bipolar Transistor, 240A I(C), 1200V V(BR)CES

参数
参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Fuji Electric Co Ltd
包装说明FLANGE MOUNT, R-XUFM-X7
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
最大集电极电流 (IC)240 A
集电极-发射极最大电压1200 V
配置SERIES CONNECTED, CENTER TAP, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
门极-发射极最大电压20 V
JESD-30 代码R-XUFM-X7
元件数量2
端子数量7
最高工作温度125 °C
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)1110 W
表面贴装NO
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
晶体管应用MOTOR CONTROL
晶体管元件材料SILICON
标称断开时间 (toff)800 ns
标称接通时间 (ton)600 ns
VCEsat-Max2.4 V
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