器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
---|---|---|---|
2DB1714-13 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT LO VSAT PNP SMT 2.5K | 下载 |
2DB1714-13 | Diodes | 额定功率:900mW 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:30V 晶体管类型:PNP | 下载 |
额定功率:900mW 集电极电流Ic:2A 集射极击穿电压Vce:30V 晶体管类型:PNP
参数名称 | 属性值 |
额定功率 | 900mW |
集电极电流Ic | 2A |
集射极击穿电压Vce | 30V |
晶体管类型 | PNP |
电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved