| 型号 |
23LC1024-I/P |
23LC1024-I/ST |
| 描述 |
静态随机存取存储器 1024K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 SQI |
静态随机存取存储器 1024K 2.5V SPI SERIAL 静态随机存取存储器 SQI |
| 是否Rohs认证 |
符合 |
符合 |
| 厂商名称 |
Microchip(微芯科技) |
Microchip(微芯科技) |
| 包装说明 |
PDIP-8 |
TSSOP-8 |
| Reach Compliance Code |
compliant |
compliant |
| ECCN代码 |
EAR99 |
EAR99 |
| Factory Lead Time |
5 weeks |
4 weeks |
| Samacsys Description |
SRAM,1Mbit,2.5V,20MHz,SPI/SDI/SQI,DIP8 Microchip 23LC1024-I/P SRAM Memory, 1Mbit, 2.5 to 5.5 V 8-Pin PDIP |
1Mbit SPI Serial SRAM with SDI and SQI Interface |
| 最长访问时间 |
25 ns |
25 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) |
20 MHz |
20 MHz |
| I/O 类型 |
COMMON/SEPARATE |
COMMON/SEPARATE |
| JESD-30 代码 |
R-PDIP-T8 |
R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 |
e3 |
e3 |
| 长度 |
9.271 mm |
4.4 mm |
| 内存密度 |
1048576 bit |
1048576 bit |
| 内存集成电路类型 |
STANDARD SRAM |
STANDARD SRAM |
| 内存宽度 |
8 |
8 |
| 功能数量 |
1 |
1 |
| 端子数量 |
8 |
8 |
| 字数 |
131072 words |
131072 words |
| 字数代码 |
128000 |
128000 |
| 工作模式 |
SYNCHRONOUS |
SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 |
85 °C |
85 °C |
| 最低工作温度 |
-40 °C |
-40 °C |
| 组织 |
128KX8 |
128KX8 |
| 输出特性 |
3-STATE |
3-STATE |
| 可输出 |
NO |
NO |
| 封装主体材料 |
PLASTIC/EPOXY |
PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 |
DIP |
TSSOP |
| 封装等效代码 |
DIP8,.3 |
TSSOP8,.25 |
| 封装形状 |
RECTANGULAR |
RECTANGULAR |
| 封装形式 |
IN-LINE |
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 并行/串行 |
SERIAL |
SERIAL |
| 峰值回流温度(摄氏度) |
NOT APPLICABLE |
260 |
| 电源 |
3/5 V |
3/5 V |
| 认证状态 |
Not Qualified |
Not Qualified |
| 反向引出线 |
NO |
NO |
| 座面最大高度 |
5.334 mm |
1.2 mm |
| 最大待机电流 |
0.000012 A |
0.000012 A |
| 最小待机电流 |
2.5 V |
2.5 V |
| 最大压摆率 |
0.01 mA |
0.01 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) |
5.5 V |
5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) |
2.5 V |
2.5 V |
| 表面贴装 |
NO |
YES |
| 技术 |
CMOS |
CMOS |
| 温度等级 |
INDUSTRIAL |
INDUSTRIAL |
| 端子面层 |
Matte Tin (Sn) - annealed |
Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 |
THROUGH-HOLE |
GULL WING |
| 端子节距 |
2.54 mm |
0.65 mm |
| 端子位置 |
DUAL |
DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 |
NOT APPLICABLE |
40 |
| 宽度 |
7.62 mm |
3 mm |