| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 1SMB33AT3 | Motorola ( NXP ) | 600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC,CASE 403A, 2 PIN | 下载 |
| 1SMB33AT3 | ON Semiconductor(安森美) | ESD Suppressors / TVS Diodes 33V 600W | 下载 |
| 1SMB33AT3G | ON Semiconductor(安森美) | 600 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, DO-214AA | 下载 |
| 1SMB33AT3G | Littelfuse | Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 33V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN | 下载 |
600W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE, PLASTIC,CASE 403A, 2 PIN
| 参数名称 | 属性值 |
| 厂商名称 | Motorola ( NXP ) |
| 包装说明 | R-PDSO-C2 |
| 针数 | 2 |
| 制造商包装代码 | CASE 403A |
| Reach Compliance Code | unknown |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Is Samacsys | N |
| 其他特性 | LOW IMPEDANCE, UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY |
| 最小击穿电压 | 36.7 V |
| 最大钳位电压 | 53.3 V |
| 配置 | SINGLE |
| 二极管元件材料 | SILICON |
| 二极管类型 | TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-C2 |
| JESD-609代码 | e0 |
| 最大非重复峰值反向功率耗散 | 600 W |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 2 |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 最低工作温度 | -65 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 极性 | UNIDIRECTIONAL |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压 | 33 V |
| 最大反向电流 | 5 µA |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | AVALANCHE |
| 端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式 | C BEND |
| 端子位置 | DUAL |
| Base Number Matches | 1 |
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