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1P1G08MDBVREPG4

在2个相关元器件中,1P1G08MDBVREPG4有相关的pdf资料。
器件名 厂商 描 述 功能
1P1G08MDBVREPG4 Texas Instruments(德州仪器) Enhanced Product Single 2-Input Positive-And Gate 5-SOT-23 -55 to 125 下载
1P1G08MDBVREPG4 ECLIPTEK Enhanced Product Single 2-Input Positive-And Gate 5-SOT-23 -55 to 125 下载
1P1G08MDBVREPG4的相关参数为:

器件描述

Enhanced Product Single 2-Input Positive-And Gate 5-SOT-23 -55 to 125

参数
参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称ECLIPTEK
零件包装代码SOT-23
包装说明SOT-23, 5 PIN
针数5
Reach Compliance Codecompliant
Factory Lead Time6 weeks
Samacsys Confidence
Samacsys StatusReleased
Samacsys PartID605110
Samacsys Pin Count5
Samacsys Part CategoryIntegrated Circuit
Samacsys Package CategoryOther
Samacsys Footprint NameSOT95P280X145-5N
Samacsys Released Date2017-01-12 12:59:53
Is SamacsysN
系列LVC/LCX/Z
JESD-30 代码R-PDSO-G5
JESD-609代码e4
长度2.9 mm
负载电容(CL)50 pF
逻辑集成电路类型AND GATE
最大I(ol)0.032 A
湿度敏感等级1
功能数量1
输入次数2
端子数量5
最高工作温度125 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码LSSOP
封装等效代码TSOP5/6,.11,37
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, LOW PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法TR
峰值回流温度(摄氏度)260
电源3.3 V
最大电源电流(ICC)0.01 mA
Prop。Delay @ Nom-Sup6.5 ns
传播延迟(tpd)11 ns
认证状态Not Qualified
施密特触发器NO
座面最大高度1.45 mm
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级MILITARY
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式GULL WING
端子节距0.95 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
宽度1.6 mm
Base Number Matches1
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