| 器件名 | 厂商 | 描 述 | 功能 |
|---|---|---|---|
| 12P10L-TN3-R | UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD | 100V P-CHANNEL MOSFET | 下载 |
| 12P10L-TN3-R | 友顺(UTC) | 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.4A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:290mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:P沟道 N沟道,100V,9.6A | 下载 |
漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):9.4A 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:290mΩ @ 4.7A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:P沟道 N沟道,100V,9.6A
| 参数名称 | 属性值 |
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 9.4A |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 290mΩ @ 4.7A,10V |
| 最大功率耗散(Ta=25°C) | 50W(Tc) |
| 类型 | P沟道 |
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