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10N65K

eeworld网站中关于10N65K有19个元器件。有10N65K、10N65K等。可以通过横向对比他们之间的异同,来寻找器件间替代的可能。
器件名 厂商 描 述 功能
10N65K UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD 10A, 650V N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
10N65K SUNMATE N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
10N65K_15 UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL JUNCTION FET 下载
10N65K3 台湾微碧(VBsemi) N-Channel 6 50V (D-S) Power MOSFET 下载
10N65KG-T2Q-T UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL JUNCTION FET 下载
10N65KG-TA3-T UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
10N65KG-TF1-T UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
10N65KG-TF2-T UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
10N65KG-TF3-T UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
10N65KG-TF3T-T UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
10N65KL-T2Q-T UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL JUNCTION FET 下载
10N65KL-TA3-T UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
10N65KL-TF1-T 友顺(UTC) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:1.3Ω @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):47W(Tc) 类型:N沟道 下载
10N65KL-TF1-T UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
10N65KL-TF2-T UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
10N65KL-TF3-T 友顺(UTC) 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道 N沟道,650V,10A,1.2Ω@10V 下载
10N65KL-TF3-T UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
10N65KL-TF3T-T UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
10N65K-MT UNISONIC TECHNOLOGIES CO.,LTD N-CHANNEL POWER MOSFET 下载
关于10N65K相关文档资料:
对应元器件 pdf文档资料下载
10N65K_15 、 10N65KG-T2Q-T 、 10N65KL-T2Q-T 、 10N65KL-TF3-T 下载文档
10N65KL-TF1-T 下载文档
10N65K 下载文档
10N65K资料比对:
型号 10N65K_15 10N65KG-T2Q-T 10N65KL-T2Q-T 10N65KL-TF3-T
描述 N-CHANNEL JUNCTION FET N-CHANNEL JUNCTION FET N-CHANNEL JUNCTION FET 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 栅源极阈值电压:4.5V @ 250uA 漏源导通电阻:1.2Ω @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W 类型:N沟道 N沟道,650V,10A,1.2Ω@10V
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