TS272AMPT放大器基础信息：
TS272AMPT是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为TSSOP, TSSOP8,.25
TS272AMPT放大器核心信息：
TS272AMPT的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为260他的最大平均偏置电流为0.0003 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，TS272AMPT的标称压摆率有5.5 V/us。厂商给出的TS272AMPT的最大压摆率为3.4 mA.其最小电压增益为6000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，TS272AMPT增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3500 kHz。TS272AMPT的功率为NO。其可编程功率为NO。
TS272AMPT的标称供电电压为10 V，其对应的标称负供电电压为。TS272AMPT的输入失调电压为6500 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
TS272AMPT的相关尺寸：
TS272AMPT的宽度为：3 mm，长度为4.4 mmTS272AMPT拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为0.65 mm。共有针脚：8
TS272AMPT放大器其他信息：
TS272AMPT采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TS272AMPT的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
而其湿度敏感等级为：1。其不属于微功率放大器。TS272AMPT不符合Rohs认证。其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-PDSO-G8。
其对应的的JESD-609代码为：e4。TS272AMPT的封装代码是：TSSOP。TS272AMPT封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。TS272AMPT封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH。
其端子形式有：GULL WING。座面最大高度为1.2 mm。
TS272AMPT放大器基础信息：
TS272AMPT是一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为TSSOP, TSSOP8,.25
TS272AMPT放大器核心信息：
TS272AMPT的最低工作温度是-55 °C，最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为260他的最大平均偏置电流为0.0003 µA
如何简单看一个放大器效率？看它的压摆率，TS272AMPT的标称压摆率有5.5 V/us。厂商给出的TS272AMPT的最大压摆率为3.4 mA.其最小电压增益为6000。而在运放闭环使用时，某个指定闭环增益（一般为 1 或者 2、 10 等）下，TS272AMPT增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为3500 kHz。TS272AMPT的功率为NO。其可编程功率为NO。
TS272AMPT的标称供电电压为10 V，其对应的标称负供电电压为。TS272AMPT的输入失调电压为6500 µV（输入失调电压：使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。）
TS272AMPT的相关尺寸：
TS272AMPT的宽度为：3 mm，长度为4.4 mmTS272AMPT拥有8个端子.其端子位置类型为：DUAL。端子节距为0.65 mm。共有针脚：8
TS272AMPT放大器其他信息：
TS272AMPT采用了VOLTAGE-FEEDBACK的架构。其属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TS272AMPT的频率补偿情况是：YES。其温度等级为：MILITARY。
而其湿度敏感等级为：1。其不属于微功率放大器。TS272AMPT不符合Rohs认证。其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为：R-PDSO-G8。
其对应的的JESD-609代码为：e4。TS272AMPT的封装代码是：TSSOP。TS272AMPT封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为RECTANGULAR。TS272AMPT封装引脚的形式有：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH。
其端子形式有：GULL WING。座面最大高度为1.2 mm。
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 不含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | SOIC |
| 包装说明 | TSSOP, TSSOP8,.25 |
| 针数 | 8 |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 放大器类型 | OPERATIONAL AMPLIFIER |
| 架构 | VOLTAGE-FEEDBACK |
| 最大平均偏置电流 (IIB) | 0.0003 µA |
| 标称共模抑制比 | 80 dB |
| 频率补偿 | YES |
| 最大输入失调电压 | 6500 µV |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 4.4 mm |
| 低-偏置 | YES |
| 低-失调 | NO |
| 微功率 | NO |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 负供电电压上限 | |
| 标称负供电电压 (Vsup) | |
| 功能数量 | 2 |
| 端子数量 | 8 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | TSSOP |
| 封装等效代码 | TSSOP8,.25 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 包装方法 | TAPE AND REEL |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 功率 | NO |
| 电源 | 10 V |
| 可编程功率 | NO |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 座面最大高度 | 1.2 mm |
| 标称压摆率 | 5.5 V/us |
| 最大压摆率 | 3.4 mA |
| 供电电压上限 | 18 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 10 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | MILITARY |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 0.65 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 标称均一增益带宽 | 3500 kHz |
| 最小电压增益 | 6000 |
| 宽带 | NO |
| 宽度 | 3 mm |
| Base Number Matches | 1 |
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