电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

TLV6742IDSGR

产品描述

TLV6742IDSGR放大器基础信息:

TLV6742IDSGR是来自Texas Instruments的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为HVSON, SOLCC8,.08,20

TLV6742IDSGR放大器核心信息:

TLV6742IDSGR的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是125 °C。

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLV6742IDSGR的标称压摆率有4.5 V/us。其最小电压增益为223872.1139。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLV6742IDSGR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为10000 kHz。TLV6742IDSGR的功率为NO。其可编程功率为NO。

TLV6742IDSGR的标称供电电压为5 V。而其供电电压上限为6 VTLV6742IDSGR的输入失调电压为1200 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

TLV6742IDSGR的相关尺寸:

TLV6742IDSGR的宽度为:2 mm,长度为2 mmTLV6742IDSGR拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为0.5 mm。

TLV6742IDSGR放大器其他信息:

其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLV6742IDSGR的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:AUTOMOTIVE。而其湿度敏感等级为:2。

其不属于微功率放大器。TLV6742IDSGR不符合Rohs认证。其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:S-PDSO-N8。其对应的的JESD-609代码为:e4。

TLV6742IDSGR的封装代码是:HVSON。TLV6742IDSGR封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为SQUARE。TLV6742IDSGR封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE。其端子形式有:NO LEAD。

座面最大高度为0.8 mm。

产品类别放大器电路   
文件大小5MB,共58页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
标准  
器件替换:TLV6742IDSGR替换放大器
敬请期待 详细参数 选型对比

TLV6742IDSGR在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
TLV6742IDSGR - - 点击查看 点击购买

TLV6742IDSGR概述

TLV6742IDSGR放大器基础信息:

TLV6742IDSGR是来自Texas Instruments的一款OPERATIONAL AMPLIFIER。常用的包装方式为HVSON, SOLCC8,.08,20

TLV6742IDSGR放大器核心信息:

TLV6742IDSGR的最低工作温度是-40 °C,最高工作温度是125 °C。

如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,TLV6742IDSGR的标称压摆率有4.5 V/us。其最小电压增益为223872.1139。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,TLV6742IDSGR增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为10000 kHz。TLV6742IDSGR的功率为NO。其可编程功率为NO。

TLV6742IDSGR的标称供电电压为5 V。而其供电电压上限为6 VTLV6742IDSGR的输入失调电压为1200 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)

TLV6742IDSGR的相关尺寸:

TLV6742IDSGR的宽度为:2 mm,长度为2 mmTLV6742IDSGR拥有8个端子.其端子位置类型为:DUAL。端子节距为0.5 mm。

TLV6742IDSGR放大器其他信息:

其不属于低偏置类放大器。其不属于低失调类放大器。TLV6742IDSGR的频率补偿情况是:YES。其温度等级为:AUTOMOTIVE。而其湿度敏感等级为:2。

其不属于微功率放大器。TLV6742IDSGR不符合Rohs认证。其不含有铅成分。其对应的的JESD-30代码为:S-PDSO-N8。其对应的的JESD-609代码为:e4。

TLV6742IDSGR的封装代码是:HVSON。TLV6742IDSGR封装的材料多为PLASTIC/EPOXY。而其封装形状为SQUARE。TLV6742IDSGR封装引脚的形式有:SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE。其端子形式有:NO LEAD。

座面最大高度为0.8 mm。

TLV6742IDSGR规格参数

参数名称属性值
Brand NameTexas Instruments
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称Texas Instruments(德州仪器)
包装说明HVSON, SOLCC8,.08,20
Reach Compliance Codecompliant
Samacsys DescriptionOperational Amplifiers - Op Amps Dual, 10-MHz, low noise, low-power, RRO, operational amplifier
放大器类型OPERATIONAL AMPLIFIER
最小共模抑制比94 dB
标称共模抑制比110 dB
频率补偿YES
最大输入失调电压1200 µV
JESD-30 代码S-PDSO-N8
JESD-609代码e4
长度2 mm
低-偏置NO
低-失调NO
微功率NO
湿度敏感等级2
功能数量2
端子数量8
最高工作温度125 °C
最低工作温度-40 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码HVSON
封装等效代码SOLCC8,.08,20
封装形状SQUARE
封装形式SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
包装方法TR
功率NO
可编程功率NO
座面最大高度0.8 mm
标称压摆率4.5 V/us
供电电压上限6 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级AUTOMOTIVE
端子面层Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式NO LEAD
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
标称均一增益带宽10000 kHz
最小电压增益223872.1139
宽带NO
宽度2 mm
Base Number Matches1

TLV6742IDSGR相似产品对比

TLV6742IDSGR TLV6742IDDFR TLV6742IPWR PTLV6742IDSGR PTLV6742IPWR PTLV6742IDDFR
描述 Dual, 10-MHz, low noise, low-power, RRO, operational amplifier 8-WSON -40 to 125 Dual, 10-MHz, low noise, low-power, RRO, operational amplifier 8-SOT-23-THIN -40 to 125 Dual, 10-MHz, low noise, low-power, RRO, operational amplifier 8-TSSOP -40 to 125 Dual, 10-MHz, low noise, low-power, RRO, operational amplifier 8-WSON -40 to 125 Dual, 10-MHz, low noise, low-power, RRO, operational amplifier 8-TSSOP -40 to 125 Dual, 10-MHz, low noise, low-power, RRO, operational amplifier 8-SOT-23-THIN -40 to 125
Brand Name Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments Texas Instruments
厂商名称 Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器) Texas Instruments(德州仪器)
包装说明 HVSON, SOLCC8,.08,20 TSSOP, TSSOP8,.11 TSSOP, TSSOP8,.25 HVSON, SOLCC8,.08,20 TSSOP, TSSOP8,.25 TSSOP, TSSOP8,.1
Reach Compliance Code compliant compliant compliant compliant compliant compliant
放大器类型 OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER OPERATIONAL AMPLIFIER
最小共模抑制比 94 dB 94 dB 94 dB 94 dB 94 dB 94 dB
标称共模抑制比 110 dB 110 dB 110 dB 110 dB 110 dB 110 dB
频率补偿 YES YES YES YES YES YES
最大输入失调电压 1200 µV 1200 µV 1200 µV 1000 µV 1000 µV 1000 µV
JESD-30 代码 S-PDSO-N8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8 S-PDSO-N8 R-PDSO-G8 R-PDSO-G8
长度 2 mm 2.9 mm 4.4 mm 2 mm 4.4 mm 3 mm
功能数量 2 1 2 2 2 2
端子数量 8 8 8 8 8 8
最高工作温度 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C 125 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 HVSON TSSOP TSSOP HVSON TSSOP TSSOP
封装等效代码 SOLCC8,.08,20 TSSOP8,.11 TSSOP8,.25 SOLCC8,.08,20 TSSOP8,.25 TSSOP8,.1
封装形状 SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR SQUARE RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, VERY THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包装方法 TR TR TR TR TR TR
座面最大高度 0.8 mm 1.1 mm 1.2 mm 0.8 mm 1.2 mm 1.1 mm
标称压摆率 4.5 V/us 4.5 V/us 4.5 V/us 4.5 V/us 4.5 V/us 4.5 V/us
供电电压上限 6 V 3 V 6 V 6 V 6 V 6 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE AUTOMOTIVE
端子形式 NO LEAD GULL WING GULL WING NO LEAD GULL WING GULL WING
端子节距 0.5 mm 0.95 mm 0.65 mm 0.5 mm 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL DUAL
标称均一增益带宽 10000 kHz 10000 kHz 10000 kHz 10000 kHz 10000 kHz 10000 kHz
最小电压增益 223872.1139 223872.11 223872.1139 223872.1139 223872.1139 223872.1139
宽度 2 mm 1.6 mm 3 mm 2 mm 3 mm 2 mm
Base Number Matches 1 1 1 1 1 1
低-偏置 NO - NO YES YES YES
低-失调 NO - NO NO NO NO
微功率 NO - NO NO NO NO
可编程功率 NO - NO NO NO NO
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V 5 V 5 V 5 V
宽带 NO - NO NO NO NO
最大压摆率 - 1.25 mA 1.2 mA 2.5 mA 2.5 mA 2.5 mA

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程 索引文件: 69  213  243  700  822 

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved