XM2N200,XM2N200 pdf中文资料,XM2N200引脚图,XM2N200电路-Datasheet-电子工程世界

XM2N200: 产品描述漏源电压（Vdss）：190V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：560mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道 190V 2A 356.5mΩ@10V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小2MB，共6页; 制造商谷峰(GOFORD); 官网地址http://www.goford.cn/; 深圳市谷峰电子有限公司GOFORD SEMICONDUCTOR，于1995年在香港成立。现已在全球各地建立分公司、办事处和代理网络。国家高新技术企业。GOFORD专注于半导体功率元器件MOSFET场效应管的研发、生产和销售。公司通过严格的品质管理体系和考核，提供高可靠性的产品；不断的技术研发创新，满足细分市场的需求和产品的性价比；全球布局的视野，不断推广GOFORD品牌在功率器件领域的知名度。GOFORD致力于打造全球知名的功率器件品牌！

下载文档详细参数全文预览

XM2N200概述

漏源电压（Vdss）：190V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：560mΩ @ 1A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：3W 类型：N沟道 190V 2A 356.5mΩ@10V

小广播

热搜元器件

EEWorld订阅号

EEWorld服务号

汽车开发圈

器件索引 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室电话:(010)82350740 邮编：100190