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WPM2341-3/TR

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:61mΩ @ 3.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:P沟道 P沟道,-20V,-4.3A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小2MB,共9页
制造商韦尔(WILLSEMI)
官网地址http://www.willsemi.com/
上海韦尔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售公司,公司成立于2007年5月,总部坐落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区,在深圳、中国台湾、香港等地设立办事处。
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WPM2341-3/TR概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.5A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:61mΩ @ 3.3A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:P沟道 P沟道,-20V,-4.3A

WPM2341-3/TR规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.5A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻61mΩ @ 3.3A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)750mW
类型P沟道
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