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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> WNMD2168

WNMD2168: 产品描述WNMD2168 场效应晶体管; 产品类别分立半导体; 文件大小889KB，共7页; 制造商韦尔(WILLSEMI); 官网地址http://www.willsemi.com/; 上海韦尔半导体有限公司是一家以自主研发、销售服务为主体的半导体器件设计和销售公司，公司成立于2007年5月，总部坐落于有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园区，在深圳、中国台湾、香港等地设立办事处。

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WNMD2168概述

WNMD2168 场效应晶体管

参数指标

Product：WNMD2168

Configuration：N-Channel MOSFET

Channel：2

Drain-Source Voltage VDS(V)(Max.)：20

Gate-Source Voltage VGS(V)(Max.)：±10

Gate Threshold Voltage VGS(th)(V)(Max.)：1.0

Drain-to-Source On-Resistance RDS(ON)@(VGS = 4.5V)(Ω)(Typ.)：0.022

Drain-to-Source On-Resistance RDS(ON)@(VGS = 4.5V)(Ω)(Max.)：0.028

Input Capacitance CISS(pF)(Typ.)：680

Continuous Drain Current ID(@TA = 25℃)(A)(Max.)：5.1

Power Dissipation PD(@TA = 25℃)(W)(Max.)：1.1

Body Diode Forward Voltage VSD(V)(Typ.)：0.78

Body Diode Forward Voltage VSD(V)(Max.)：1.5

Package：TSSOP-8

Size(mm)(LxW)：3 x 6.4

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