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TSD5N65M

产品描述漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):58W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,3A,3.0Ω
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小1MB,共10页
制造商信安(Truesemi)
官网地址http://www.truesemi.com
信安半导体成立于2008年,属安联集团全资子公司,致力于大中华地区MOSFET产品销售,2009年安联集团投资韩国半导体DESIGN领域,同年收购韩国POWER SOLUSTION 8英寸VD-MOS芯片工厂。 POWER SOLUSTION是一家专业电力半导体FAB OWN公司。公司成立于2005年。主营POWER MOSFET及IGBT的生产于研发。目前8 英寸月产能12000片,是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线。他们在产品研发和生产制程方面具有丰富的行业经验。公司2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可。在韩国极东大学和富川设有附属研究所。目前VD-MOSFET和IGBT产品获得韩国政府12项技术专利。 POWER SOLUSTION生产的产品广泛应用于电焊机、逆变器、镇流器、适配器、充电器、PC电源、电视机电源等各领域。韩国三星电子、LG电子、康佳等公司均为POWER SOLUSTION终端客户。
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TSD5N65M概述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3A(Tc) 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:3Ω @ 1.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):58W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,3A,3.0Ω

TSD5N65M规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3A(Tc)
栅源极阈值电压5V @ 250uA
漏源导通电阻3Ω @ 1.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)58W(Tc)
类型N沟道
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