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TDM3408

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 30V 17.5mΩ@4.5V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小697KB,共8页
制造商泰德(Techcode)
官网地址http://www.techcodesemi.com/cn/index.asp
在高端模拟电路设计和生产领域,美国泰德半导体有限公司已具有12年的综合设计经验。我们不但具备世界领先的模拟电路设计技术,而且还具有一套更为完整、更为先进的产品品质管理方法。由于采用了“无生产线设计公司”的生产方式,我们在商业运作上,运用更为高效的晶圆代工合作模式,从而可以快速地使用先进且时效性更强的技术,设计出性价比更高的高端模拟电路产品,进而可以在日益增长的市场需求中,迅速满足客户对高端产品的需要
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TDM3408概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):20A(Tc) 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:10.8mΩ @ 10A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):21W(Tc) 类型:N沟道 N沟道 30V 17.5mΩ@4.5V

TDM3408规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)20A(Tc)
栅源极阈值电压2.5V @ 250uA
漏源导通电阻10.8mΩ @ 10A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)21W(Tc)
类型N沟道
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