直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):3A 正向压降(Vf):600mV @ 3A 台湾沟槽芯片LOW VF≧0.6
参数名称 | 属性值 |
直流反向耐压(Vr) | 100V |
平均整流电流(Io) | 3A |
正向压降(Vf) | 600mV @ 3A |
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