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SMF43A_R1_00001

产品描述反向关断电压(典型值):43V 击穿电压(最小值):47.8V 极性:Unidirectional 箝位电压:69.4V 峰值脉冲电流(10/1000us):2.9A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小127KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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SMF43A_R1_00001概述

反向关断电压(典型值):43V 击穿电压(最小值):47.8V 极性:Unidirectional 箝位电压:69.4V 峰值脉冲电流(10/1000us):2.9A

SMF43A_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PDSO-F2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
最大击穿电压52.8 V
最小击穿电压47.8 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散200 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
参考标准IEC-61000-4-2
最大重复峰值反向电压43 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式FLAT
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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