SL2312,SL2312 pdf中文资料,SL2312引脚图,SL2312电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> SL2312

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SL2312: 产品描述漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 N沟道,20V,5A,23mΩ@4.5V; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小1MB，共3页; 制造商萨科微(Slkor); 官网地址http://www.slkormicro.com/; 深圳市斯尔科微电子有限公司致力于第三代半导体 SiC 功率器件。我们的产品涵盖分立器件和集成电路、二极管、晶体管、功率器件和电源管理芯片。我们的品牌“Slkor”在半导体行业享有盛誉。我们提供从工业到军事应用的各种产品，包括 SiC 二极管、SiC MOSFET、IGBT、第五代超快恢复功率二极管等。这些产品广泛应用于电动汽车、高端设备、通讯设备等。

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SL2312概述

漏源电压（Vdss）：20V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A 栅源极阈值电压：1.2V @ 250uA 漏源导通电阻：25mΩ @ 5A,4.5V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.25W 类型：N沟道 N沟道,20V,5A,23mΩ@4.5V

SL2312规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	20V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	5A
栅源极阈值电压	1.2V @ 250uA
漏源导通电阻	25mΩ @ 5A,4.5V
最大功率耗散（Ta=25°C）	1.25W
类型	N沟道

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