SL11N65CF,SL11N65CF pdf中文资料,SL11N65CF引脚图,SL11N65CF电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> SL11N65CF

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SL11N65CF: 产品描述漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.5A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.6W(Tc) 类型：N沟道 CoolMos 650V Rds:300mΩ; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小648KB，共8页; 制造商萨科微(Slkor); 官网地址http://www.slkormicro.com/; 深圳市斯尔科微电子有限公司致力于第三代半导体 SiC 功率器件。我们的产品涵盖分立器件和集成电路、二极管、晶体管、功率器件和电源管理芯片。我们的品牌“Slkor”在半导体行业享有盛誉。我们提供从工业到军事应用的各种产品，包括 SiC 二极管、SiC MOSFET、IGBT、第五代超快恢复功率二极管等。这些产品广泛应用于电动汽车、高端设备、通讯设备等。

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SL11N65CF概述

漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11.5A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：360mΩ @ 7A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：32.6W(Tc) 类型：N沟道 CoolMos 650V Rds:300mΩ

SL11N65CF规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	650V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	11.5A(Tc)
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	360mΩ @ 7A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	32.6W(Tc)
类型	N沟道

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