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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> SI2310A
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SI2310A

产品描述漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小596KB，共4页
制造商友台半导体(UMW)
官网地址http://www.umw-ic.com/

UMW 是中国大陆领先的 LDO、MOSFET、DC/DC、RS-232、RS-485、ESD/TVS、光耦合器、逻辑电路、温度传感器供应商。UTD 的解决方案可实现低风险开发、降低总体系统成本并加快各种全球应用的上市时间。

下载文档 详细参数 全文预览

SI2310A概述

漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：3A 栅源极阈值电压：3V @ 250uA 漏源导通电阻：90mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：1.38W 类型：N沟道

SI2310A规格参数

参数名称属性值
漏源电压（Vdss）60V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）3A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻90mΩ @ 3A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）1.38W
类型N沟道

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