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SI2306

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.16A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:47mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小600KB,共2页
制造商合科泰(Hottech)
官网地址http://www.heketai.com
合科泰成立于1992年,专业从事半导体模拟芯片和分立器件的研发设计、封测生产和销售于一体的高科技创新企业。产品线包括锂电保护IC、充电管理IC、LDO、MOSFET,二极管、TVS、桥堆,三极管等分立器件和集成电路,为客户提供应用解决方案和现场技术支持服务。公司具备ISO9001、ISO14001、IATF16949质量体系认证。产品包含半导体和被动原件,广泛应用于电源、照明、医疗电子、小家电、通信、安防、仪器、工控、汽车电子等领域。
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SI2306概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):3.16A 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:47mΩ @ 3.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):750mW 类型:N沟道

SI2306规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)3.16A
栅源极阈值电压3V @ 250uA
漏源导通电阻47mΩ @ 3.5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)750mW
类型N沟道

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