电子工程世界电子工程世界电子工程世界

关键词

搜索

型号

搜索
 PDF数据手册

SED8840

产品描述漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:双N沟道(共漏) N沟道,20V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小408KB,共6页
制造商光宇睿芯(SINO-IC)
官网地址http://www.sino-ic.net
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。
下载文档 详细参数 全文预览

SED8840概述

漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:9.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):1.7W 类型:双N沟道(共漏) N沟道,20V

SED8840规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A
栅源极阈值电压1V @ 250uA
漏源导通电阻9.5mΩ @ 10A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.7W
类型双N沟道(共漏)

推荐资源

小广播

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 大学堂 TI培训 Datasheet 电子工程

器件索引   0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved