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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> SE6880

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SE6880: 产品描述漏源电压（Vdss）：68V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W 类型：N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小753KB，共10页; 制造商光宇睿芯(SINO-IC); 官网地址http://www.sino-ic.net; 上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售，是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一，应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。

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SE6880概述

漏源电压（Vdss）：68V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：80A 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：8.5mΩ @ 40A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：110W 类型：N沟道

SE6880规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	68V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	80A
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	8.5mΩ @ 40A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	110W
类型	N沟道

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