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SE2306

产品描述MOS管 场效应管 20V 6A N沟道
产品类别分立半导体   
文件大小255KB,共4页
制造商光宇睿芯(SINO-IC)
官网地址http://www.sino-ic.net
上海光宇睿芯微电子有限公司专业从事半导体过压保护器件和集成电路的设计、研发与销售,是国内掌握半导体过压保护器件和集成电路核心技术的供应商之一,应用于通讯系统、便携产品、锂电池的保护、电源系统的过压保护、LED驱动等。
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SE2306概述

MOS管 场效应管 20V 6A N沟道

功能特点

产品名称:MOS管 场效应管 20V 6A N沟道


产品型号:SE2306


产品特征:


VDS = 20V,ID = 6A


RDS(ON) < 34.5mΩ @ VGS=2.5V


RDS(ON) < 24.5mΩ @ VGS=4.5V


High Power and current handing capability


Lead free product is acquired


Surface Mount Package


产品应用:


Load switch


Power management



Construction:


Silicon epitaxial planer



封装:SOT-23


SE2306规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)6A
栅源极阈值电压1.2V @ 250uA
漏源导通电阻24.5mΩ @ 4.5A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)1.5W
类型N沟道
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