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SBR3508

产品描述Bridge Rectifier Diode, 35A, 800V V(RRM),
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小543KB,共4页
制造商扬杰科技(YANGJIE)
官网地址http://www.21yangjie.com/
扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日,注册资本4.72亿元人民币。2014年1月,公司在深交所创业板挂牌上市,股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。 公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等,产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。
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SBR3508概述

Bridge Rectifier Diode, 35A, 800V V(RRM),

功能特点

产品名称:SILICON /GLASS PASSIVATED THREE PHASE BRIDGE RECTIFIERS 硅/玻璃钝化三相桥式整流器


产品型号:SBR3508


产品特征:


Diffused Junction


Low Forward Voltage Drop


High Current Capability


High Reliability


High Surge Current Capability


Ideal for Printed Circuit Boards



机械数据:


Case: Epoxy Case with Heat Sink Interally


Mounted in the Bridge Encapsulation



Terminals:Plated Leads Solderable per


MIL-STD_202.Method 208



Polarity: As Marked on Body



Weight:20 grams (apprex.)



Mounting Position:


Bolt Down on Heatsink With Silicone Thermal


Compound Between Bridge and Mouting Surface


For Maximun Heat Transfer Efficiency



Mounting Torque:20 in Ibs.Max.



Marking:Type Number



最大额定值和电气特性:


Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.


Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.


For capacitive load, derate current by 20%



产品数据:


Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM 最大反向峰值电压 :800V



Working Peak Reverse Voltage VRWM 工作峰值反向电压 :800V



DC Blocking Voltage VR DC阻断电压 :800V



Peak Non-Repetitive Reverse Voltage VRSM 峰值反向电压 :900V



RMS Reverse Voltage VR(RMS) 反向电压有效值 :560V



Maximum Average Forward Rectified Current @TC = 100℃ I(AV) 最大正向电流 :35 A



Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 非重复峰值正向浪涌电流 :


(No Voltage Reapplid t=8.3ms at 60Hz) IFSM :500 A


(No Voltage Reapplid t=10ms at 50Hz) IFSM :475 A


(100% Reapplid t=8.3ms at 60Hz) IFSM :420A


(100% Reapplid t=10ms at 50Hz) IFSM :400 A



(I^2)t Rating for fusing


(No Voltage Reapplid t=8.3ms at 60Hz) (I^2)t :1030 (A^2)S


(No Voltage Reapplid t=10ms at 50Hz) (I^2)t :1130 (A^2)S


(100% Reapplid t=8.3ms at 60Hz) (I^2)t :730 (A^2)S


(100% Reapplid t=10ms at 50Hz) (I^2)t :800(A^2)S



Forward Voltage (per element) @ TJ=25℃,@IFM=40Apk per single junction VF :1.2V



Peak Reverse Current (per leg) @ TJ=25℃ IR 最大反向漏电流 :10μA


At Rated DC Blocking Voltage @ TJ = 125℃ IR 最大反向漏电流 :5.0mA



RMS Isolation Voltage from Case to Lead VISO :2500V



Operating Temperature Range TJ 工作结温 :-40 to +125 ℃



Storage Temperature Range TSTG储存温度范围:-40 to +150 ℃



Thermal Resistance Junction to Case at DC Operation per Bridge RθJC 热阻系数 :1.16K/W



Thermal Resistance Case to Heatsink Mounting Surface,Smooth,Flat and Greased RθCS :0.2K/W



封装:SKBPC



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