SBR3506,SBR3506 pdf中文资料,SBR3506引脚图,SBR3506电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> SBR3506

SBR3506: 产品描述Bridge Rectifier Diode, 35A, 600V V(RRM),; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小543KB，共4页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

下载文档全文预览

SBR3506概述

Bridge Rectifier Diode, 35A, 600V V(RRM),

功能特点

产品名称：SILICON /GLASS PASSIVATED THREE PHASE BRIDGE RECTIFIERS 硅/玻璃钝化三相桥式整流器

产品型号：SBR3506

产品特征：

Diffused Junction

Low Forward Voltage Drop

High Current Capability

High Reliability

High Surge Current Capability

Ideal for Printed Circuit Boards

机械数据：

Case: Epoxy Case with Heat Sink Interally

Mounted in the Bridge Encapsulation

Terminals:Plated Leads Solderable per

MIL-STD_202.Method 208

Polarity: As Marked on Body

Weight:20 grams (apprex.)

Mounting Position:

Bolt Down on Heatsink With Silicone Thermal

Compound Between Bridge and Mouting Surface

For Maximun Heat Transfer Efficiency

Mounting Torque:20 in Ibs.Max.

Marking:Type Number

最大额定值和电气特性：

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.

For capacitive load, derate current by 20%

产品数据：

Peak Repetitive Reverse Voltage VRRM 最大反向峰值电压：600V

Working Peak Reverse Voltage VRWM 工作峰值反向电压：600V

DC Blocking Voltage VR DC阻断电压：600V

Peak Non-Repetitive Reverse Voltage VRSM 峰值反向电压：725V

RMS Reverse Voltage VR(RMS) 反向电压有效值：420V

Maximum Average Forward Rectified Current @TC = 100℃ I(AV) 最大正向电流：35 A

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 非重复峰值正向浪涌电流：

(No Voltage Reapplid t=8.3ms at 60Hz) IFSM ：500 A

(No Voltage Reapplid t=10ms at 50Hz) IFSM ：475 A

(100% Reapplid t=8.3ms at 60Hz) IFSM ：420A

(100% Reapplid t=10ms at 50Hz) IFSM ：400 A

(I^2)t Rating for fusing

(No Voltage Reapplid t=8.3ms at 60Hz) (I^2)t ：1030 (A^2)S

(No Voltage Reapplid t=10ms at 50Hz) (I^2)t ：1130 (A^2)S

(100% Reapplid t=8.3ms at 60Hz) (I^2)t ：730 (A^2)S

(100% Reapplid t=10ms at 50Hz) (I^2)t ：800(A^2)S

Forward Voltage (per element) @ TJ=25℃,@IFM=40Apk per single junction VF ：1.2V

Peak Reverse Current (per leg) @ TJ=25℃ IR 最大反向漏电流：10μA

At Rated DC Blocking Voltage @ TJ = 125℃ IR 最大反向漏电流：5.0mA

RMS Isolation Voltage from Case to Lead VISO ：2500V

Operating Temperature Range TJ 工作结温：-40 to +125 ℃

Storage Temperature Range TSTG储存温度范围：-40 to +150 ℃

Thermal Resistance Junction to Case at DC Operation per Bridge RθJC 热阻系数：1.16K/W

Thermal Resistance Case to Heatsink Mounting Surface,Smooth,Flat and Greased RθCS ：0.2K/W

封装：SKBPC

推荐资源

FPGA电源芯片的选择: FPGA电源芯片的选择:FAPGA 电源芯片一般分为内核电源和IO电源。怎样选择电源芯片的功耗大小这是一门学问。电源芯片的大小跟所使用的逻辑门容量和速度都有关。速度越快，功耗需求越大。逻辑容量越大，功耗也越大。 NI 半导体器件为FPGA 厂家提供配套的电源芯片，也提供公式粗略估计FPGA 容量和速度一定情况下，功耗的大小。可以为我们电源芯片选型提供参考。...; eeleader FPGA/CPLD

TMS320LF2407的天然气发动机控制系统设计: 1 引言　　近年来，数字信号处理器（DSP）芯片已经广泛用于自动控制、图像处理、通信技术、网络设备、仪器仪表和家电等领域;DSP为数字信号处理提供了高效而可靠的硬件基础。目前，应用最广泛的DSP芯片是TI（德州仪器）公司的产品，TMS320C2000系列是该公司的适合于数字控制的一种DSP。这种系列DSP芯片具有完美的性能并集成了闪存、高速A/D转换器、高性能的CAN模块等，因此使用它可以降低开发...; fish001 微控制器 MCU

中国安全防范产品的山寨化是福还是祸?: 今年的两会即将召开之际,让我想起去年此时火速蹿红的“山寨”一词。“山寨”一词在2009年3月就被带上了两会，并且再度火了一把, 与“躲猫猫”一起位列热门关键词前二位。山寨机概念首先出现在IT行业。自从2001年始“联发科”先后在DVD和手机中把“山寨”的概念暗自导入商品市场后，各种假冒伪劣的名牌水货和按“潜规则”或“无规则”的缩水服务，就都打着“山寨”的旗号，堂而皇之地在我国迅速漫延起来，以致形成...; xyh_521 安防电子

WINCE的内存没有被收回: 我写了一个在WINCE(5.0)下运行MFC程序，里面我用new分配了一个空间，然后用delete 释放，可是内存并没有被收回（通过看控制面板里的系统属性，总共内存数和使用内存数）？代码如下：vector vct5();for (unsigned long i = 0; i< vct5.size(); i++){vct5[i] = new int;}//myDocument.~TiXmlDocum...; wzqqz WindowsCE

请教大佬们敷铜的问题: 如果板子没有GND和VCC的线还需要敷吗，还有无网络敷铜是不是会把我的信号线也敷了，我试了之后整块板子都是报错的，请求大佬指点...; Curtain_KM PCB设计

急切求助，开关电源烧上mos管: 现象描述[font=Verdana][size=2]1 用万用表测量VCC_1V2电源对地阻抗5欧左右。[/size][/font]2 刚上电mos管Q5就被烧掉。3 断开R272，在R272的第2pin和地之间并一个电容，上电不会烧mos管，但是输出电压为3V。[color=#000080]4[/color][font=Arial][color=#000000]Vous+通过飞线链接到电源输出端...; tonytong 电源技术

AI芯片中外军团混战寒武纪要占中国30%市场份额

这家公司目前只是AI芯片混战中的一个小角色，但野心巨大11月6日，中国人工智能芯片公司寒武纪科技公司CEO陈天石对外披露了完整的产品结构、商业模式，以及未来三年内的市场目标。陈天石表示，寒武纪将在三年后占据中国高性能智能芯片市场30%的份额，并在全世界10亿部智能终端设备上集成该公司处理器。寒武纪科技是中科院将科研成果转化为商业的最新尝试。与中科院旗下另一家芯片公司中科龙芯不同...[详细]
只能造65nm！俄罗斯芯片还落后15年

俄罗斯因为发动对乌克兰的特别军事行动遭到国际制裁，其中包括高科技制裁，这会对俄罗斯的芯片行业产生多大的影响？专家们认为，西方协调一致的科技封锁行动可能会使俄罗斯失去为先进武器以及5G、人工智能和机器人等尖端技术提供动力所需要的精密半导体。今年2月底，就在俄罗斯开始攻击乌克兰几天后，美国禁止向俄罗斯及其盟友白俄罗斯出售高科技产品，包括国防、航空航天和海事行业使用的半导体和电信系统。这项...[详细]
紫光国芯第四代DRAM存储器成功通过科技成果评价

2017年3月22日，受工业和信息化部电子科学技术情报研究所委托，北京中企慧联科技发展中心在北京主持召开由紫光国芯股份有限公司／西安紫光国芯半导体有限公司自主研发的“高性能第四代DRAM存储器”科技成果评价会。北京中企慧联评价机构严格按照《科技成果评价试点暂行办法》的有关规定和要求，秉承客观、公正、独立的原则，聘请同行专家对该项科技成果进行了评价。评价委员会听取了项目完成单位的技术总结报告，...[详细]
TCL子公司“摩星半导体”被曝解散，涉及近百名员工，赔偿N+1

11月21日，有消息爆料，TCL科技集团旗下的芯片设计合资公司摩星半导体已经“解散”。这也是继OPPO和魅族解散芯片研发团队之后，又一家知名企业解散自研芯片团队。据内部人员爆料称，21日上午十点，公司高管把所有人集合到前台，直接宣布解散，包括整个公司包括软件、IC、甚至行政在内，赔偿方案为N+1。21日当天，公司员工均已离开公司。此次裁员包括广州总部几十人，以及上海、深圳等分公...[详细]
高通首次正面回应！确认将重回服务器芯片市场

6月7日消息，在Computex2024展会上，高通公司CEOCristianoAmon确认公司将重返服务器芯片市场，这一消息是对此前关于高通有意重新进入该领域的传闻的首次正面回应。高通此次回归将采用其子公司Nuvia自研的内核技术，以期在数据中心和汽车领域推出基于Snapdragon处理器平台的解决方案。Amon在采访中强调了高通在智能手机市场的领先地位，并指出公司在CPU、GPU、...[详细]
技术文章—如何在烧录生产过程中全方位保护芯片程序

随着山寨产品层出不穷，越来越多的人开始关注芯片烧录的安全性问题。芯片作为一个产品的核心部件，其内部程序一旦被盗取，那么整个产品将面临被破解的风险，这里将介绍如何在烧录生产过程中全方位保护芯片程序，实现安全生产。要实现安全生产，首先得保正烧录文件的安全性。烧录文件是研发项目的结晶，其安全性极为重要，特别对于代烧录工厂，人员配备参差不齐，如果将文件直接下发给工厂生产，容易造成文件泄漏。为此P8...[详细]
科学家展示可按需生物降解和可回收的印刷电路

据NewAtlas报道，旧的电子产品很难回收，这意味着它们堵塞了垃圾填埋场，同时也锁住了有价值的金属。现在，科学家们已经展示了可按需降解的印刷电路，使其材料恢复到可再利用的形式。当我们中的许多人每隔一两年就追寻新手机的兴奋时，电子产品的浪费问题只会越来越多。许多这些设备在建造时并没有考虑到可回收性，而且很难从中提取金和银等贵金属进行再利用。相反，这些电子垃圾的大部分最终被填埋，在那里...[详细]
华尔街日报：芯片制造商给摄像头装上“大脑”

由芯片公司打造的更加智能化的摄像头正在催生新一代设备，这些设备不仅能捕捉图像，还能分析图像，并根据分析结果采取相应的行动。计算机视觉技术所取得的这些发展既可以让监控摄像头网络去追踪一个包裹，也能让像苹果公司(AppleInc.,AAPL)新发布的iPhoneX那样通过识别人脸解锁智能手机。AlphabetInc.(GOOG)旗下的NestLabs在9月份发布了一款配备高通...[详细]
中芯国际完成配股,募资25.5亿港元

电子网消息，中芯国际公布，根据配售协议的条款及条件，公司按每股配售股份10.65港元向不少于六名独立承配人配发及发行2.414亿股配售股份，占经发行配售股份扩大后的公司已发行股本约4.92%。上述配售已于12月6日完成。配售事项所得款项总额约为25.7亿港元，而配售事项所得款项净额约为25.5亿港元。...[详细]
日官方对尔必达、东芝态度　遭质疑双重标准

东芝(Toshiba)存储器事业股权出售案引起全球业界关注，目前虽然传出首轮是由西数(WD)、鸿海、SK海力士(SKHynix)、博通(Broadcom)和银湖基金(SilverLakePartners)出线，但日本政府也积极组成国家队救援，使整件收购案仍在未定之天。在此之际，日本经济新闻(Nikkei)也提出日本政府是否大小眼的质疑。报导指出，2012年日本DRAM大厂尔必达(Elpi...[详细]
后摩尔时代EDA技术需要什么？新思科技提出双引擎模式

8月27-28日，2020集微半导体峰在厦门海沧召开。本届峰会以“探寻·迭变时代新逻辑”为主题，旨在外部世界风云突变的市场环境下，探寻市场新的商业逻辑。峰会期间，28日下午举办“国产突破与全球协作”为主题的EAD专场论坛。会上，新思科技中国区副总经理谢仲辉发表主题为《EDA开启IC设计双驱动模式》的演讲。新思科技中国区副总经理谢仲辉...[详细]
中国集成电路产业：并购重组正当时

全球半导体行业再吹整并风，在2015年的短短3个月内就迎来了好几个重磅并购案。最新的一则是3月24日的消息，英特尔公司洽谈并购全球第二大FPGA制造商Altera，收购价格或超过100亿美元。此前，国际上已完成的重大收购包括：英飞凌科技股份有限公司于1月13日完成的对美国国际整流器公司（InternationalRectifier）的30亿美元收购；莱迪思半导体于1月27日以...[详细]
摩尔定律极限重启半导体产业

尽管摩尔定律无法再以相同的步调前进，但芯片、系统和软件技术仍将持续进展…业界所预期的“摩尔定律”(Moore’sLaw)极限，将是推动半导体与电脑产业转型的开始。这是日前在庆祝“图灵奖”(AlanTuringaward)50周年纪念活动上的一场专题讨论中业界专家们发表的看法。尽管摩尔定律无法再以相同的步调前进，但芯片、系统和软件技术仍将持续进展。与会的专家们补充说，如果没有明确...[详细]
建设高端半导体装备，SRII赋能新一代集成电路制造

思锐智能携业界尖端的离子注入（IMP）和原子层沉积（ALD）技术亮相SEMICONChina2024，持续建设全球一流的高端半导体制造装备，广泛赋能集成电路、第三代半导体等诸多高精尖领域。展会现场精彩瞬间思锐智能离子注入机（IMP）模型根据SEMI的数据，受芯片需求疲软等影响，2023年全球半导体设备销售额为1056亿美元，同比下降1.9%，而中国大陆地区半导体设备销...[详细]
英特尔ARM之战：硅谷巨无霸对决剑桥蛮荒者

彭博商业周刊近日评论称，英特尔X86架构以超强的运算能力在计算领域占据统治地位，ARM架构计算能力稍弱但解决了功耗问题，成为通信领域主流架构，几年内英特尔与ARM在计算与通信领域分河而治。　　但随着智能手机和平板电脑市场越来越壮大，双方都不甘心固守边界。今年英特尔携雷霆之势大举进军移动市场，意图挑战ARM的统治地位。而ARM也一改PC领域“悄悄打枪”的作风，在今年10月推出了两款64位处理器...[详细]

小广播

热搜元器件