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RS1M: 产品描述反向恢复时间（trr）：500ns 直流反向耐压（Vr）：1kV 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1.3V @ 1A; 产品类别分立半导体快恢复二极管; 文件大小429KB，共2页; 制造商深圳辰达行电子(MDD); 官网地址http://www.microdiode.com/; 深圳辰达半导体有限公司（简称MDD辰达半导体）是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载，始终坚持以产品技术为驱动，以客户需求为核心，打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵，产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域，服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念，基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力，持续关注前沿技术及应用领域发展趋势，全面推动产品升级迭代，提高功率器件产业化及服务闭环的能力，为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来，公司将依托行业洞察的能力，通过品牌与技术双轮驱动，快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景，助力中国半导体产业升级。

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RS1M概述

反向恢复时间（trr）：500ns 直流反向耐压（Vr）：1kV 平均整流电流（Io）：1A 正向压降（Vf）：1.3V @ 1A

RS1M规格参数

参数名称	属性值
反向恢复时间（trr）	500ns
直流反向耐压（Vr）	1kV
平均整流电流（Io）	1A
正向压降（Vf）	1.3V @ 1A

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