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RS1G

产品描述反向恢复时间(trr):150ns 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V @ 1A 替代型号 C443619
产品类别分立半导体    快恢复二极管   
文件大小429KB,共2页
制造商深圳辰达行电子(MDD)
官网地址http://www.microdiode.com/
深圳辰达半导体有限公司(简称MDD辰达半导体)是一家专注于半导体分立器件研发设计、封装测试及销售的国家高新技术企业.公司深耕半导体领域16载,始终坚持以产品技术为驱动,以客户需求为核心,打造涵盖MOSFET、二极管、三极管、整流桥、SiC等全系列、高可靠、高性能的产品服务矩阵,产品广泛应用于新能源汽车、工业控制、消费电子、通信、家电、医疗、照明、安防、仪器仪表等多个领域,服务于全球40多个国家与地区。公司秉持与时俱进的发展理念,基于目前先进的功率器件设计及封装测试能力,持续关注前沿技术及应用领域发展趋势,全面推动产品升级迭代,提高功率器件产业化及服务闭环的能力,为客户提供可持续、全方位、差异化的一站式产品解决方案。展望未来,公司将依托行业洞察的能力,通过品牌与技术双轮驱动,快速实现“打造半导体分立器件国际创领品牌”的发展愿景,助力中国半导体产业升级。
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RS1G概述

反向恢复时间(trr):150ns 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V @ 1A 替代型号 C443619

RS1G规格参数

参数名称属性值
反向恢复时间(trr)150ns
直流反向耐压(Vr)400V
平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1.3V @ 1A
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