PTA16N65,PTA16N65 pdf中文资料,PTA16N65引脚图,PTA16N65电路-Datasheet-电子工程世界

PTA16N65: 产品描述漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：550mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,0.45?@10V,16A; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小832KB，共9页; 制造商丽隽(PIP); 官网地址http://www.pipsemi.com/; PIP-Semi成立于美国科罗拉多州的一家高科技公司。公司研发团队来自仙童、IR、TFSS，自2003年组成后一直专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工和封装测试工艺技术。公司开发和生产VDMOS、SG MOSFET、Coolmos、 IGBT、 Gate Driver IC等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路产品，广泛应用于节能、绿色照明、智能电网、电动汽车、工控设备、消费电子等领域。公司秉承“诚信、相信、信心、信仰"的企业文化，为客户提供完美、创新、专业的产品和全方位的服务。为客户创造价值是我们永远的宗旨。

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PTA16N65概述

漏源电压（Vdss）：650V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：16A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：550mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：60W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,650V,0.45?@10V,16A

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