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PTA12N65

产品描述漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):73W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,0.60?@10V,12A
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小572KB,共8页
制造商丽隽(PIP)
官网地址http://www.pipsemi.com/
PIP-Semi成立于美国科罗拉多州的一家高科技公司。公司研发团队来自仙童、IR、TFSS,自2003年组成后一直专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工和封装测试工艺技术。 公司开发和生产VDMOS、SG MOSFET、Coolmos、 IGBT、 Gate Driver IC等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路产品,广泛应用于节能、绿色照明、智能电网、电动汽车、工控设备、消费电子等领域。 公司秉承“诚信、相信、信心、信仰"的企业文化,为客户提供完美、创新、专业的产品和全方位的服务。 为客户创造价值是我们永远的宗旨。
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PTA12N65概述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):12A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:750mΩ @ 6A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):73W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,650V,0.60?@10V,12A

PTA12N65规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)12A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻750mΩ @ 6A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)73W(Tc)
类型N沟道

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