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PSM15N60CT

产品描述15A 600V Single N‐Channel Power MOSFET
文件大小938KB,共10页
制造商PFC
官网地址http://www.pfc-device.com
集团产销离散式功率半导体,以旗下「PFC」品牌进军中国、中国台湾及其他亚洲地区市场。 集团旗下研发团队设于中国台湾,并主要以改善产品性能、开发新产品及技术为重心。集团的离散式功率半导体使用由集团内部研发团队开发的自有专利组件结构及制造方法。于最后实际可行日期,集团持有在美国、中国台湾及中国就其离散式功率半导体的组件结构及╱或制造方法注册的46项专利。 集团在位于中国广东顺德的顺德生产厂房制造其大部分产品。于离散式功率半导体制造流程中,集团于顺德生产厂房进行制造流程中的封装及测试流程,并向外聘晶圆加工厂外判晶圆加工流程。集团亦向外聘封装公司外判若干封装类型的离散式功率半导体的封装流程。于最后实际可行日期,集团在顺德生产厂房有合共94名雇员。集团在中国台湾及香港经营销售办事处,销售后勤办事处则位于中国深圳。中国台湾销售办事处监督集团的销售及营销业务。集团离散式功率半导体大多售予分销商,彼等则转售予集团产品的直接用家,即主要为电源供应器制造商,电源供应器将于其后用于多种电子器材。
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PSM15N60CT概述

15A 600V Single N‐Channel Power MOSFET

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第一、ESD防护元件本身的寄生电容必须要小,为不影响USB3.0 4.8Gbps的传输速率,其寄生电容必须小于0.3pF。  第二、防护元件对ESD的耐受能力必须要高,最少要能承受IEC 61000-4-2接触模式8kV ESD的轰击。  第三、也是最重要的一项要求,防护元件在ESD事件发生期间所提供的箝制电压必须要够低,不能造成传输资料的损坏。...
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