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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PJP2N60

PJP2N60: 产品描述Power Mosfet 功率MOSFET; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小207KB，共6页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJP2N60概述

Power Mosfet 功率MOSFET

功能特点

产品名称：Power Mosfet 功率MOSFET

产品型号：PJP2N60

产品参数：

Voltage Range电压范围：>100

Channel通道：N

Drain-Source Voltage漏源极电压：VDSS：600V

Gate-Source Voltage栅源极电压最大值：VGSS：30+V

Drain Current漏极电流：ID：2A

Maximum Power Dissipation最大功耗：PD：45W

Static Drain-Source On-Resistance： Vgs=10V，Rdson (max.)：4.6Ω

Gate Charge门电荷： Vgs=10V，Qg：9.3nC

Input Capacitance输入电容： Vds=25V，Ciss：320pF

Reverse Transfer Capacitance反向传输电容： Vds=25V，Crss：3pF

Package封装：TO-220AB

PJP2N60规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	TO-220AB
包装说明	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数	3
Reach Compliance Code	_compli
雪崩能效等级（Eas）	120 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	600 V
最大漏极电流 (ID)	2 A
最大漏源导通电阻	4.6 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-220AB
JESD-30 代码	R-PSFM-T3
元件数量	1
端子数量	3
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	8 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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