PJGBLC05C-AU_R2_00001,PJGBLC05C-AU_R2_00001 pdf中文资料,PJGBLC05C-AU_R2_00001引脚图,PJGBLC05C-AU_R2

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> PJGBLC05C-AU_R2_00001

PJGBLC05C-AU_R2_00001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,; 产品类别分立半导体二极管; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJGBLC05C-AU_R2_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 350W, 5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon,

PJGBLC05C-AU_R2_00001规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	R-PDSO-F2
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	7.77 V
最小击穿电压	7.03 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码	R-PDSO-F2
最大非重复峰值反向功率耗散	350 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性	BIDIRECTIONAL
参考标准	AEC-Q101; IEC-61000-4-2; TS 16949
最大重复峰值反向电压	5 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子形式	FLAT
端子位置	DUAL

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