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Datasheet> 器件分类 > 晶体管> PJD3NA80_L2_00001

PJD3NA80_L2_00001: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,; 产品类别晶体管; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJD3NA80_L2_00001概述

Power Field-Effect Transistor, 3A I(D), 800V, 4.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252AA,

PJD3NA80_L2_00001规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	not_compliant
雪崩能效等级（Eas）	173 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	800 V
最大漏极电流 (ID)	3 A
最大漏源导通电阻	4.8 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	TO-252AA
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
元件数量	1
端子数量	2
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	12 A
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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