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PJ6694

产品描述25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小200KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJ6694概述

25V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJ6694规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
Reach Compliance Codecompli
其他特性ULTRA LOW ON RESISTANCE
雪崩能效等级(Eas)130 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)12 A
最大漏极电流 (ID)12 A
最大漏源导通电阻0.012 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)150 pF
JESD-30 代码R-PDSO-G8
元件数量1
端子数量8
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值2.5 W
最大功率耗散 (Abs)2.5 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)50 A
表面贴装YES
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
最大关闭时间(toff)45.5 ns
最大开启时间(吨)26.5 ns
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