PJ4800T/R13,PJ4800T/R13 pdf中文资料,PJ4800T/R13引脚图,PJ4800T/R13电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> PJ4800T/R13

PJ4800T/R13: 产品描述Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOIC-8; 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小269KB，共5页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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PJ4800T/R13概述

Power Field-Effect Transistor, 8A I(D), 30V, 0.02ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, ROHS COMPLIANT, SOIC-8

PJ4800T/R13规格参数

参数名称	属性值
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	SOT
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数	8
Reach Compliance Code	compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等级（Eas）	3.2 mJ
配置	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	30 V
最大漏极电流 (ID)	8 A
最大漏源导通电阻	0.02 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
元件数量	1
端子数量	8
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
极性/信道类型	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	32 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON

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