P6SMBJ8.0A_R1_00001,P6SMBJ8.0A_R1_00001 pdf中文资料,P6SMBJ8.0A_R1_00001引脚图,P6SMBJ8.0A_R1

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> P6SMBJ8.0A_R1_00001

P6SMBJ8.0A_R1_00001: 产品描述Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN; 产品类别分立半导体二极管; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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P6SMBJ8.0A_R1_00001概述

Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 8V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN

P6SMBJ8.0A_R1_00001规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
包装说明	R-PDSO-C2
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
其他特性	UL RECOGNIZED
最大击穿电压	10.23 V
最小击穿电压	8.89 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-214AA
JESD-30 代码	R-PDSO-C2
JESD-609代码	e3
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	UNIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	8 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	Tin (Sn)
端子形式	C BEND
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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