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P6SMB180C

产品描述瞬态电压抑制二极管
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小189KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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P6SMB180C概述

瞬态电压抑制二极管

功能特点

产品名称:瞬态电压抑制二极管


产品型号:P6SMB180C


产品参数:


功耗Ppp:600W


反向电压VRWM:146V


击穿电压VBR@IT:Min=162V Max=198V


测试电流It:1mA


反向漏电IR@VRWM :1μA


Max. Clamp Voltage 10/1000μs Vc @ Ipp :258V


脉冲电流峰值Ipp :2.3A



封装:SMB/DO-214AA



P6SMB180C规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
零件包装代码DO-214AA
包装说明R-PDSO-C2
针数2
Reach Compliance Code_compli
ECCN代码EAR99
其他特性LOW INDUCTANCE
最大击穿电压198 V
最小击穿电压162 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AA
JESD-30 代码R-PDSO-C2
最大非重复峰值反向功率耗散600 W
元件数量1
端子数量2
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性BIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压146 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
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