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P6KE12A: 产品描述瞬态电压抑制二极管; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小179KB，共5页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 标准; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

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P6KE12A概述

瞬态电压抑制二极管

600 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-15

功能特点

产品名称：瞬态电压抑制二极管

产品型号：P6KE12A

产品特征：

Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

Exceeds environmental standards of MIL-STD-19500

600W surge capability at 10 x 100us waveform,duty cycle: 0.01%

Excellent clamping capability

Low zener impedance

Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 volts to VBR for unidirectional and 5.0 ns for bidirectional

Typical IR less than 1uA above 10V

High temperature soldering guaranteed:2500C/ 10 seconds/.375",(9.5mm) lead length / 5lbs.,(2.3kg) tension

机械数据：

Cases: Molded plastic

Epoxy:UL94V-0 rate flame retardant

Lead :Axial leads, solderable per MIL- STD-202, Method 208

Polarity: Color band denotes cathode except Bipolar

Weight: 0.34 gram

最大额定值和电气特性：

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

产品数据：

Peak Power Dissipation at TA=25℃, TP=1ms PPK 正向功耗：Minimun 600W

Steady State Power Dissipation at TL=25℃ PD 稳定功耗：2.0W

Peak Forward Surge Current IFSM 正向脉冲流： 100A

Maximum Instaneous Forward Voltage at 50A for Unidirectional Only VF 正向压降：3.5 /5.0V

Operating and Storage Temperature Range Tj. Tstg 工作结温：-55 to +175℃

Nominal Voltage 额定电压：12V

Breakdown Voltage V(BR) 击穿电压： Min: 11.4V Max：12.6V

Test Current at IT 测试电流：1.0mA

Stand-Off Voltage Vwm 变位电压：10.2V

Max Reverse Leakage at Vwm ID 最大反向漏电流： 5.0uA

Max Peak Pulse Current IPPM 最大峰值脉冲电流：37A

Max Clamping Voltage at IPPM VC 最大箝位电压：16.7V

Maximun Temperature Coefficient of VBR 最大温度系数： 0.078%/℃

封装：DO-15

P6KE12A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	扬杰科技(YANGJIE)
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	compli
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, Bulk; 500
最大击穿电压	12.6 V
最小击穿电压	11.4 V
击穿电压标称值	12 V
外壳连接	ISOLATED
最大钳位电压	16.7 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)	3.5 V
JEDEC-95代码	DO-204AC
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	5 W
最大重复峰值反向电压	10.2 V
最大反向电流	5 µA
反向测试电压	10.2 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

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