P6KE12A,P6KE12A pdf中文资料,P6KE12A引脚图,P6KE12A电路-Datasheet-电子工程世界

P6KE12A: 产品描述瞬态电压抑制二极管; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小179KB，共5页; 制造商扬杰科技(YANGJIE); 官网地址http://www.21yangjie.com/; 标准; 扬州扬杰电子科技股份有限公司成立于2006年8月2日，注册资本4.72亿元人民币。2014年1月，公司在深交所创业板挂牌上市，股票代码300373。2017年营业收入14.7亿元。公司集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等领域的产业发展。公司主营产品为各类电力电子器件芯片、功率二极管、整流桥、大功率模块、DFN/QFN产品、SGT MOS及碳化硅SBD、碳化硅JBS等，产品广泛应用于消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

P6KE12A在线购买

供应商	器件名称	价格	最低购买	库存
	P6KE12A	-	-	点击查看	点击购买

P6KE12A概述

瞬态电压抑制二极管

600 W, 单向, 硅, 瞬态抑制二极管, DO-15

功能特点

产品名称：瞬态电压抑制二极管

产品型号：P6KE12A

产品特征：

Plastic package has Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0

Exceeds environmental standards of MIL-STD-19500

600W surge capability at 10 x 100us waveform,duty cycle: 0.01%

Excellent clamping capability

Low zener impedance

Fast response time: Typically less than 1.0ps from 0 volts to VBR for unidirectional and 5.0 ns for bidirectional

Typical IR less than 1uA above 10V

High temperature soldering guaranteed:2500C/ 10 seconds/.375",(9.5mm) lead length / 5lbs.,(2.3kg) tension

机械数据：

Cases: Molded plastic

Epoxy:UL94V-0 rate flame retardant

Lead :Axial leads, solderable per MIL- STD-202, Method 208

Polarity: Color band denotes cathode except Bipolar

Weight: 0.34 gram

最大额定值和电气特性：

Rating at 25℃ ambient temperature unless otherwise specified.

产品数据：

Peak Power Dissipation at TA=25℃, TP=1ms PPK 正向功耗：Minimun 600W

Steady State Power Dissipation at TL=25℃ PD 稳定功耗：2.0W

Peak Forward Surge Current IFSM 正向脉冲流： 100A

Maximum Instaneous Forward Voltage at 50A for Unidirectional Only VF 正向压降：3.5 /5.0V

Operating and Storage Temperature Range Tj. Tstg 工作结温：-55 to +175℃

Nominal Voltage 额定电压：12V

Breakdown Voltage V(BR) 击穿电压： Min: 11.4V Max：12.6V

Test Current at IT 测试电流：1.0mA

Stand-Off Voltage Vwm 变位电压：10.2V

Max Reverse Leakage at Vwm ID 最大反向漏电流： 5.0uA

Max Peak Pulse Current IPPM 最大峰值脉冲电流：37A

Max Clamping Voltage at IPPM VC 最大箝位电压：16.7V

Maximun Temperature Coefficient of VBR 最大温度系数： 0.078%/℃

封装：DO-15

P6KE12A规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	符合
厂商名称	扬杰科技(YANGJIE)
包装说明	O-PALF-W2
Reach Compliance Code	compli
其他特性	EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY, Bulk; 500
最大击穿电压	12.6 V
最小击穿电压	11.4 V
击穿电压标称值	12 V
外壳连接	ISOLATED
最大钳位电压	16.7 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
最大正向电压 (VF)	3.5 V
JEDEC-95代码	DO-204AC
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	600 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-55 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
极性	UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散	5 W
最大重复峰值反向电压	10.2 V
最大反向电流	5 µA
反向测试电压	10.2 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL

推荐资源

ISL6752控制的一次ZVS、二次ZVS同步整流的DC/DC变换器电路图

HELPER2416开发板——Fedora安装: [color=#444444][font=Tahoma,]HELPER2416开发板收到4、5天了。刚忙完手头的东西，最近终于可以腾出时间来玩[/font][/color][color=#444444][font=Tahoma,]HELPER2416了。[/font][/color][color=#444444][font=Tahoma,]HELPER2416资料下完了。看了一下还是有点迷糊，资料...; ltbytyn 嵌入式系统

状态机: 人人共享！...; alex002 嵌入式系统

stm32 用 jlink 调试出现崩溃错误有图: 连接jlink使用sw进行调试 debug 出现这样的错误。...; 快乐古月 ARM技术

【micropython】ESP32固件的默认频率修改为160M了: 为了与ESP IDF保持一致，并支持更多开发板，ESP32固件的默认频率修改为160M。https://github.com/micropython/micropython/commit/59c1b7d4b8fb1d441f9322976582c8709f01dfbe...; dcexpert MicroPython开源版块

【低功耗】FPGA厂商出击低功耗技术瓶颈: 在手持、移动和便携式消费电子市场快速增长的今天，用可编程逻辑器件实现系统设计的比重也在不断增加。随着半导体制造工艺技术的提升，FPGA在规模、速度、价格等方面的竞争力都得到了极大的改善，而与此同时如何有效地控制FPGA的功耗则显得越发棘手。　　最近，Xilinx、Altera和QuickLogic等公司，在研发FPGA新产品时，都把降低功耗作为设计准则以加以重视，并先后推出一系列低功耗FPGA解...; hangsky FPGA/CPLD

ARM仿真下载疑问: 最近想自己画个LM3S1138的最小系统，可是自己水平比较水，下载仿真部分不知该怎么设计，几乎是一点头绪都没有，看之前学长设计的开发板用了FT2232D什么什么的做仿真。不知道各位高手们有什么经验，可以分享给我下哈，谢谢了！...; 虚源草微控制器 MCU

新加坡半导体产业正蓬勃发展

据ZDNET报道，伴随着美光科技在新加坡扩建NAND工厂，新加坡政府表示随着对智能设备的需求增加以及5G和自动驾驶汽车等新技术的部署，新加坡期待获得更多的半导体产业的回报。新加坡政府认为，随着智能设备需求的增加以及5G和自动驾驶汽车等新技术的部署，全球半导体产业将在未来几年实现增长。新加坡副总理兼财政部长HengSweeKeat表示，由于半导体代工业的悠久历史，该国“能够很好地赶上这一波市...[详细]
台积电拟向3nm半导体投资超200亿美元

全球最大半导体代工企业台湾集成电路制造（简称台积电、TSMC）联合首席执行官（CEO）刘德音12月7日表示，将向电路线宽为3奈米（奈米为10亿分之1米）的新一代半导体投资超过200亿美元。通过对尖端领域投入巨资，领先于韩国三星电子等竞争对手。　刘德音7日下午在台湾北部新竹发表演讲时透露了上述消息。目前美国苹果新款iPhone等配备的10奈米线宽半导体属于最尖端产品。7奈米产品将于2018...[详细]
UltraSoC获晶心科技选用于RISC-V开发的追踪及调试

UltraSoC日前宣布：亚洲领先且成熟的中央处理器半导体知识产权（CPUIP）供应商晶心科技（AndesTechnology）已采用UltraSoC先进的嵌入式分析技术，来支持其AndesCore系列RISC-V处理器。晶心科技将利用UltraSoC包括业界唯一商用RISC-V处理器追踪解决方案在内的独一无二的IP产品系列，来实现其复杂应用嵌入式产品的开发加速和调试增强，这些应用包括人工智...[详细]
广州出台IAB产业发展实施意见 2022年产业规模超8000亿

广州重点布局的IAB产业（即新一代信息技术、人工智能和生物医药产业），有望在新一轮产业政策的大力推动下，迎来更为迅猛的发展。1月17日，广州市黄埔区、广州开发区出台《加快IAB产业发展实施意见》（简称《意见》），提出到2022年要培育形成世界级IAB产业集群，并明确IAB主导产业规模要年均增长20%以上，届时达8000亿元。这份《意见》针对IAB三大产业分别给出8项专项扶持政策，合计24项，...[详细]
意法半导体（ST）公布2015年股东大会审议的主要提案

中国，2015年4月13日横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM）公布今年公司提交股东大会审议的主要提案。今年股东大会将于2015年5月27日在荷兰阿姆斯特丹召开。公司监事会的主要提案如下：按照国际财务报告标准（IFRS,InternationalFinancial...[详细]
MENTOR GRAPHICS CEO WALDEN C. RHINES 入选 IEEE 院士

MentorGraphics公司（纳斯达克代码：MENT）今天宣布，公司董事长兼CEOWaldenC.Rhines博士已被提名为电气电子工程师学会(IEEE)院士。Rhines博士因其在集成电路设计和自动化领域的领导能力和技术创新力而获得广泛认可。 IEEE院士级会员由IEEE董事会授予，对象为在任何IEEE相关领域获得杰出成就的个人。每年入选的总人数不超过投票...[详细]
汉高展示中心在张江高科技园区隆重揭幕

汉高(Henkel)宣布，该公司的展示中心于2013年1月9日在张江高科技园区正式拉开帷幕。该展示中心坐拥1800平方米的实验室，能够为我们的合作伙伴提供显示器行业的快速打样支持以及先进的产品及工艺开发。该展示中心配备了最先进的显示器组装和检测设备，例如，贴合机、固化烘箱、恒温冲击箱和一个MURA检测系统等。利用汉高液体光学透明胶（LOCA），展示中心内的贴合机可用于组装最大65英寸的显示...[详细]
触控面板厂商纷纷扩厂，产能过剩引担忧

　　由于终端市场对于PC/NB搭载触控面板的接受度不如预期，使得2009年全球触控面板产业成长趋缓。到了2010年，由于iPad上市热销，触控面板相关大厂纷纷规划投入中大尺寸应用市场，带动全球触控面板产业显著成长。整体而言，2.8-3.5寸之间的手机仍是2010年触控面板出货的最大应用领域，而今年底及明年初，众多厂商都会相继推出平板电脑产品，进一步拉动中大尺寸触控面板需求，因此，10寸以下的平板...[详细]
VCSEL市场火热，稳懋去年营收跃增25%

砷化镓大厂稳懋12月4日公告去年12月营收，受惠3D传感需求畅旺，带动营收冲上19.36亿元新台币，月增2.6%、年增79.6%，连续二个月创单月营收历史新高，去年总营收170.58亿元新台币，年增25.4%，同创历史新高。 稳懋表示，12月营收攻顶主因，来自3D传感需求持续上升，带动单价较高的VCSEL器件出货量占比提升，原本RF相关产品也淡季不淡，双重加持下，推升整体业绩向上，优于预期。...[详细]
技术文章—实验：PN结电容与电压的关系

目标本实验活动的目的是测量反向偏置PN结的容值与电压的关系。背景知识PN结电容增加PN结上的反向偏置电压VJ会导致连接处电荷的重新分配，形成耗尽区或耗尽层（图1中的W）。这个耗尽层充当电容的两个导电板之间的绝缘体。这个W层的厚度与施加的电场和掺杂浓度呈函数关系。PN结电容分为势垒电容和扩散电容两部分。在反向偏置条件下，不会发生自由载流子注入；因此，扩散电容等于零。对于反...[详细]
英飞凌第三季度业绩表现强劲，2023财年展望已确认

【2023年8月3日，德国诺伊比贝尔格讯】英飞凌科技股份公司发布2023财年第三季度财报（截至2023年6月30日）。• 2023财年第三季度：营收达到40.89亿欧元，利润达到10.67亿欧元，利润率为26.1%• 2023财年第四季度展望：假设欧元兑美元汇率为1:1.10，预计营收约为40亿欧元，在此基础上，利润率预计将达到25%左右• 2023财年展望：即便...[详细]
兆驰股份携50亿元“杀入”LED上游芯片

昨日晚间，兆驰股份(002429)发布公告，董事会审议通过了《关于与南昌高新技术产业开发区管理委员会签署投资协议的议案》。根据协议约定，公司本次将出资不低于人民币15亿元且不高于16亿元，在南昌市高新技术产业开发区投资建设LED外延片和芯片生产项目(公司名称暂定为江西兆驰半导体有限公司)。　　公司计划在南昌市高新技术产业开发区成立项目公司，主要经营LED外延片和芯片的生产、研发及销售。...[详细]
只会做芯片没用　你得多关心客户

2010年对半导体产业来说，是获利既高又有些混乱的一年；随着零售、通讯与消费性科技业者打造的新产品，内含更多嵌入式技术与更大的可编程性，那些以软件定义的产品特性正在改变半导体零组件的可用性以及对组件生命周期的预期。这样的改变，需要半导体设计业者与制造业者对客户需求的更深入了解；也因为如此，终端使用者──也就是消费者──比以往拥有更大的权力。为了要达到更好的经营绩效，半导体业者必须更留...[详细]
三星第一季净利4.62亿美元同比下滑72%

据国外媒体报道，三星电子今天公布，该公司第一季度净利润同比下滑72%至6192亿韩元(约合4.62亿美元)，高于分析师此前预期的530亿韩元，主要受手机部门盈利高于预期推动。　　在截至3月31日的第一季度，三星电子净利润为6192亿韩元(约合4.62亿美元)，比去年同期的2.19万亿韩元下滑72%；运营利润为1476亿韩元，比去年同期的2.15万亿韩元下滑93%；营收为18.57万亿韩...[详细]
德科学家研制出世界最快硅芯片

德国卡尔斯鲁尔大学日前宣布，该校的一个国际研究小组成功研制出目前世界上最快的超速硅芯片，这种芯片可以同时处理260万个电话数据，其运算速度是目前记录保持者英特尔芯片的4倍。据卡尔斯鲁尔大学该项目负责人约尔格•劳特霍德介绍，这一芯片的研制成功得益于新材料技术和硅片技术的集合。为实现超速数据处理，研究人员开发了一种有机材料，使其具有前所未有的高光学质量和传输光学信号的能力。另外，研究...[详细]

小广播

热搜元器件