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P4KE51C: 产品描述保护瞬态电压抑制器; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小165KB，共4页; 制造商强茂(PANJIT); 官网地址http://www.panjit.com.tw/; 标准; PANJIT 是一家全球 IDM，提供广泛的产品组合，包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源，为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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保护瞬态电压抑制器

功能特点

产品名称：保护瞬态电压抑制器

产品型号：P4KE51C

产品参数：

Power Dissipation功耗：Ppp：400W

Reverse Stand-off Voltage反向电压：VRWM：41.3V

Breakdown Voltage击穿电压：VBR@IT：Min：45.9V，Max：56.1V

Test Current：IT：1mA

Reverse Leakage反向漏：IR@VRWM：UNI：1μA，

Max. Clamp Voltage 10/1000μs最大钳电压Vc@Ipp：73.5V

Peak Pulse Current 10/1000μs 脉冲电流峰值Ipp：5.7A

封装：DO-41

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	强茂(PANJIT)
零件包装代码	DO-41
包装说明	O-PALF-W2
针数	2
Reach Compliance Code	_compli
ECCN代码	EAR99
最大击穿电压	56.1 V
最小击穿电压	45.9 V
击穿电压标称值	51 V
外壳连接	ISOLATED
最大钳位电压	73.5 V
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-41
JESD-30 代码	O-PALF-W2
最大非重复峰值反向功率耗散	400 W
元件数量	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最低工作温度	-65 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	ROUND
封装形式	LONG FORM
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
极性	BIDIRECTIONAL
最大重复峰值反向电压	41.3 V
表面贴装	NO
技术	AVALANCHE
端子形式	WIRE
端子位置	AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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