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MMBTA06_R1_00001

产品描述额定功率:225mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小379KB,共6页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/
标准

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MMBTA06_R1_00001概述

额定功率:225mW 集电极电流Ic:500mA 集射极击穿电压Vce:80V 晶体管类型:NPN

MMBTA06_R1_00001规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最大集电极电流 (IC)0.5 A
集电极-发射极最大电压80 V
配置SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)100
JESD-30 代码R-PDSO-G3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型NPN
表面贴装YES
端子面层Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管元件材料SILICON
标称过渡频率 (fT)100 MHz
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