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MBR20200DC_R2_00001

产品描述直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):2 x 10A 正向压降(Vf):900mV @ 10A
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小191KB,共5页
制造商强茂(PANJIT)
官网地址http://www.panjit.com.tw/

PANJIT 是一家全球 IDM,提供广泛的产品组合,包括 MOSFET、肖特基二极管、SiC 器件、双极结型晶体管和电桥等。公司旨在满足客户在汽车、电源、工业、计算、消费和通信等各种应用领域的需求。他们的愿景是通过质量可靠、节能高效的产品为世界提供电源,为人们带来更绿色、更智能的未来。公司核心价值观包括创新、责任、以客户为中心、学习与成长、相互信任和协作。

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MBR20200DC_R2_00001概述

直流反向耐压(Vr):200V 平均整流电流(Io):2 x 10A 正向压降(Vf):900mV @ 10A

MBR20200DC_R2_00001规格参数

参数名称属性值
厂商名称强茂(PANJIT)
包装说明R-PSSO-G2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
其他特性FREE WHEELING DIODE, LOW POWER LOSS
应用EFFICIENCY
外壳连接CATHODE
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.9 V
JEDEC-95代码TO-263AB
JESD-30 代码R-PSSO-G2
最大非重复峰值正向电流200 A
元件数量2
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-50 °C
最大输出电流10 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压200 V
最大反向电流50 µA
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置SINGLE
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