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KNF6165A

产品描述漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 N 沟道,650V,10A,0.6Ω@10V
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小179KB,共7页
制造商可易亚半导体(KIA Semiconductors)
官网地址http://www.kiaic.com/page/qiyejianjie.htm
深圳市可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大功率场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
下载文档 详细参数 全文预览

KNF6165A概述

漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):10A(Tc) 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:900mΩ @ 5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道 N 沟道,650V,10A,0.6Ω@10V

KNF6165A规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)10A(Tc)
栅源极阈值电压4V @ 250uA
漏源导通电阻900mΩ @ 5A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)
类型N沟道
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