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KND3203B

产品描述漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道
产品类别分立半导体    MOS(场效应管)   
文件大小342KB,共6页
制造商可易亚半导体(KIA Semiconductors)
官网地址http://www.kiaic.com/page/qiyejianjie.htm
深圳市可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大功率场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计,集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。
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KND3203B概述

漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):100A(Tc) 栅源极阈值电压:2.3V @ 250uA 漏源导通电阻:4mΩ @ 24A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):101W(Tc) 类型:N沟道

KND3203B规格参数

参数名称属性值
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)(25°C 时)100A(Tc)
栅源极阈值电压2.3V @ 250uA
漏源导通电阻4mΩ @ 24A,10V
最大功率耗散(Ta=25°C)101W(Tc)
类型N沟道
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