KNB2710A,KNB2710A pdf中文资料,KNB2710A引脚图,KNB2710A电路-Datasheet-电子工程世界

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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> MOS(场效应管)> KNB2710A

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KNB2710A: 产品描述漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：160A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：333W(Tc) 类型：N沟道; 产品类别分立半导体 MOS(场效应管); 文件大小581KB，共8页; 制造商可易亚半导体(KIA Semiconductors); 官网地址http://www.kiaic.com/page/qiyejianjie.htm; 深圳市可易亚半导体科技有限公司是一家专业从事中、大功率场效应管、快速恢复二极管、三端稳压管开发设计，集研发、生产和销售为一体的国家高新技术企业。

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KNB2710A概述

漏源电压（Vdss）：100V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：160A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5mΩ @ 25A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：333W(Tc) 类型：N沟道

KNB2710A规格参数

参数名称	属性值
漏源电压（Vdss）	100V
连续漏极电流（Id）（25°C 时）	160A(Tc)
栅源极阈值电压	4V @ 250uA
漏源导通电阻	5mΩ @ 25A,10V
最大功率耗散（Ta=25°C）	333W(Tc)
类型	N沟道

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